17. März 2021 / IGM

Patenterteilung

Das IGM freut sich über die Erteilung des Patents DE 10 2014 115 243: "Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren mit anderen Bauelementen auf einem Substrat"

Forschende am IGM haben ein Verfahren entwickelt, um Dünnschichttransistoren, mikro-elektromechanische Bauelemente und Dioden gemeinsam auf einem Glassubstrat zu fertigen, wobei lediglich vier Fotolithografieschritte notwendig sind. Im Vergleich zu etablierten Herstellungsprozessen für Dünnschichttransistoren konnte somit eine Verringerung des Prozessaufwands bei gleichzeitigem Mehrwert durch die parallele Fertigung weiterer Bauelementtypen erreicht werden.

Mögliche Anwendungsfelder liegen vor allem im Bereich kostengünstiger mikro-elektromechanischer Lichtmodulatoren.

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