Forschende am IGM haben ein Verfahren entwickelt, um Dünnschichttransistoren, mikro-elektromechanische Bauelemente und Dioden gemeinsam auf einem Glassubstrat zu fertigen, wobei lediglich vier Fotolithografieschritte notwendig sind. Im Vergleich zu etablierten Herstellungsprozessen für Dünnschichttransistoren konnte somit eine Verringerung des Prozessaufwands bei gleichzeitigem Mehrwert durch die parallele Fertigung weiterer Bauelementtypen erreicht werden.
Mögliche Anwendungsfelder liegen vor allem im Bereich kostengünstiger mikro-elektromechanischer Lichtmodulatoren.